2025年1月2日消息，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，甬矽半導(dǎo)體（寧波）有限公司取得一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN 222233627 U，申請(qǐng)日期為2024年1月。

　　專利摘要顯示，本實(shí)用新型提供了一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，涉及芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域，該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括基底布線層、第一芯片、第一塑封層、轉(zhuǎn)接布線層、基板、第二芯片和第二塑封層，第一芯片貼設(shè)在基底布線層上；第一塑封層設(shè)置在基底布線層上，并包覆在第一芯片外；轉(zhuǎn)接布線層設(shè)置在塑封層上；基板設(shè)置在轉(zhuǎn)接布線層上；第二芯片貼設(shè)在基板上；第二塑封層設(shè)置在基板上，并包覆在第二芯片外；其中，基板和第一芯片之間還設(shè)置有散熱金屬柱，散熱金屬柱連接至基板。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型提供的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，通過(guò)額外設(shè)置散熱金屬柱，該散熱金屬柱連接至基板，能夠?qū)⒌诙酒a(chǎn)生的熱量傳遞至散熱通道并帶走，大幅提升散熱能力，保證產(chǎn)品性能。