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甬矽半導體取得半導體封裝結構專利,大幅提升散熱能力

2025-01-02

  2025年1月2日消息,國家知識產(chǎn)權局信息顯示,甬矽半導體(寧波)有限公司取得一項名為“半導體封裝結構”的專利,授權公告號CN 222233627 U,申請日期為2024年1月。

  專利摘要顯示,本實用新型提供了一種半導體封裝結構,涉及芯片封裝技術領域,該半導體封裝結構包括基底布線層、第一芯片、第一塑封層、轉接布線層、基板、第二芯片和第二塑封層,第一芯片貼設在基底布線層上;第一塑封層設置在基底布線層上,并包覆在第一芯片外;轉接布線層設置在塑封層上;基板設置在轉接布線層上;第二芯片貼設在基板上;第二塑封層設置在基板上,并包覆在第二芯片外;其中,基板和第一芯片之間還設置有散熱金屬柱,散熱金屬柱連接至基板。相較于現(xiàn)有技術,本實用新型提供的半導體封裝結構,通過額外設置散熱金屬柱,該散熱金屬柱連接至基板,能夠將第二芯片產(chǎn)生的熱量傳遞至散熱通道并帶走,大幅提升散熱能力,保證產(chǎn)品性能。