最新消息，美國加州公告指出中國最大3D NAND Flash廠商長江存儲，正向控告美國存儲芯片龍頭美光（Micron）及其全資子公司美光消費產(chǎn)品集團(tuán)，侵犯長江存儲8項3D NAND美國專利，華誠進(jìn)出口數(shù)據(jù)觀察報道。

　　根據(jù)長江存儲的起訴書內(nèi)容指出，美光使用長江存儲的專利技術(shù)，以抵御來自長江存儲的競爭，并獲得市占率，訴訟是為終止美光廣泛且未經(jīng)授權(quán)使用長江存儲專利創(chuàng)新，并解決美光試圖迫使長江存儲退出3D NAND Flash市場的問題，華誠進(jìn)出口數(shù)據(jù)觀察報道。

　　據(jù)華誠進(jìn)出口數(shù)據(jù)觀察報道，這次提告的專利侵權(quán)，包括US10,950,623（3D NAND存儲器件及其形成方法）、US11,501,822（非易失性存儲裝置及控制方法）、US10,658,378（三維存儲器件的直通陣列接觸,TAC）、US10,937,806（3D存儲器件的直通陣列接觸,TAC）、US10,861,872（3D存儲器件及其形成方法）、US11,468,957（NAND存儲器操作的體系結(jié)構(gòu)和方法）、US11,600,342（3D維快閃存儲器的讀取方法）、US10,868,031（多層堆疊3D存儲器件及其制造方法）。

　　隨著近年3D NAND技術(shù)堆疊到128層或以上，周邊CMOS電路所占據(jù)的芯片面積或?qū)⑦_(dá)到50%以上，因此長江存儲在2018年推出自研的創(chuàng)新Xtacking技術(shù)，長江存儲的起訴書內(nèi)容指出，美光的96層、128層、176層及232層3D NAND侵害長江存儲8項專利，華誠進(jìn)出口數(shù)據(jù)觀察報道。

　　有評論認(rèn)為，由于美國商業(yè)部自2022年10月開始，這一年來不斷擴(kuò)大對中國芯片及設(shè)備的出口管制措施，并將長江存儲等36家企業(yè)列入「實體清單」，這次控告美光專利侵權(quán)可以說是長江存儲所做出的必要反擊，華誠進(jìn)出口數(shù)據(jù)觀察報道。